Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Мікросхеми логічних елементів

Мікросхеми логічних елементів

Назва:
Мікросхеми логічних елементів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
3,14 KB
Завантажень:
108
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 
Реферат на тему:
Мікросхеми логічних елементів


Логічні елементи реалізуються у вигляді мікросхем, що виго-товляються на кристалах кремнію за допомогою новітніх високо-ефективних технологій.
Мікросхеми логічних елементів характеризуються рядом па-раметрів.
Швидкодія. Швидкодія логічного елемента визначається се-редньою затримкою сигналу, яка обчислюється як середнє ариф-метичне затримок увімкнення й вимкнення елемента.
Споживана потужність. Споживана потужність визначається як середня арифметична потужність, що споживається логічним елементом в увімкненому й вимкненому станах. Швидкодія і спо-живана потужність пов'язані, як правило, прямою пропорційною залежністю: чим більша швидкодія, тим більша споживана потуж-ність, тому для мікросхем логічних елементів часто застосовують таку характеристику, як добуток середньої споживаної потужності на середню затримку сигналів.
Коефіцієнт об'єднання за входами. Коефіцієнт об'єднання за входом — це максимальна кількість входів, яку може мати логіч-ний елемент. Для більшості мікросхем логічних елементів коефі-цієнт об'єднання за входами не перевищує восьми.
Коефіцієнт розгалуження за виходами. Коефіцієнт розгалу-ження за виходами або навантажувальна здатність визначається кількістю входів логічних елементів такого ж типу, які можуть бути приєднаними до виходу даної мікросхеми без порушення її працездатності.
Крім цих параметрів, мікросхеми логічних елементів харак-теризуються також завадостійкістю, надійністю, ступенем інтег-рації тощо.
Транзисторно-транзисторні логічні елементи й пристрої. Тран-зисторно-транзисторні логічні елементи й пристрої (ТТЛ логіка) побудовані на основі багатоемітерного транзистора, що реалізує елемент І, та транзисторного інвертора (рис. 11.4, о).
Якщо хоча б на один з емітерів транзистора VT1 подати потен-ціал <0,5 В, то транзистор відкриється і з'єднає базу транзистора VT2 з нульовою шиною живлення. Транзистор VT2 закриється, база транзистора VT3 виявиться під високим потенціалом, що від-криє транзистор VT3, і на виході мікросхеми востановиться на-пруга високого рівня, що відповідає логічній 1. Таким чином, мікросхема в цілому виконує роль логічного елемента І-НІ і реа-лізує логічну функцію Шефера.
Щоб збільшити швидкодію ТТЛ — логічних елементів, під час виготовлення мікросхеми додатково створюють р-п переходи, або так звані діоди Шоткі, які запобігають режиму насичення транзисторів і тим самим зменшують час переходу транзистора з ак-тивного режиму в режим відсікання. Транзисторно-транзисторні логічні елементи з додатковими діодами Шоткі називають ТТЛШ логічними елементами або ТТЛШ логікою.
Мікросхеми логічних елементів на МДН-транзисторах. У по-рівнянні з біполярними транзисторами МДН-транзистори, тобто уніполярні транзистори, що виготовлені за структурою метал-діелектрик-напівпровідник, набагато менше споживають енергії, мають великий вхідний опір, тобто забезпечують велику наван-тажувальну здатність. Логічні елементи будуються на основі базо-вої структури — інвертора, схема якого наведена на рисунку 11.1, б. Транзистор VT1, затвор якого з'єднаний зі стоком, відіграє роль резистора навантаження, а транзистор VT2 — роль ключа. Якщо на затвор транзистора VT2 подати низьку напругу, рівень якої відповідає логічному 0, то транзистор VT2 закривається, і на ви-ході елемента буде висока напруга, рівень якої відповідає логіч-ній 1. Якщо ж на затвор подати високу напругу, то транзистор VT2 відкриється, і вихід елемента з'єднається з нульовою шиною через відкритий транзистор.
На рисунку 11.5, а показано логічний елемент І-НІ, а на ри-сунку 11.6, а — АБО-НІ, що побудовані на основі базової структу-ри інвертора на МДН-транзисторах.
Мікросхеми логічних елементів на комплементарних МДН-транзисторах. Комплементарними називають пару МДН-транзисторів, один з яких має канал з тг-провідністю, а другий — з р-провідністю. Такі два послідовно з'єднані транзистори (рис. 11.1, в) утворюють інвертор. Якщо на затвори обох транзисторів подати високий потенціал, що відповідає логічній одиниці, то відкриєть-ся нижній транзистор VT2, а верхній VT1 — закриється, і вихід елемента через відкритий транзистор VT2 з'єднається з нульовою шиною живлення, тобто матиме рівень логічного 0.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 



Реферат на тему: Мікросхеми логічних елементів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок