Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Робота транзистора в імпульсному режимі.

Робота транзистора в імпульсному режимі.

Назва:
Робота транзистора в імпульсному режимі.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
3,10 KB
Завантажень:
439
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 
Реферат на тему:
Робота транзистора в імпульсному режимі.


Режим перемикання.
В режимі перемикання транзистор працює як електронний ключ: він або закритий і володіє високим опором, або увімкнений і його опір малий. В ключовому режимі транзистор вмикається послідовно з навантаженням і, коли він вимкнений, струм через навантаження є близьким до нуля, та вся напруга від зовнішнього джерела прикладається до транзистора (т. А на рис.67,а). Коли транзистор увімкнений (т. В на рис.67,а), то струм через транзистор великий і наближується до максимально можливого в даній схемі Eк/Rк , де Rк - опір навантаження в колекторному колі.
Коли транзистор вимкнений, на його емітер або подається від'ємне зміщення, або не подається зовсім, і транзистор знаходиться в режимі відсічки. Коли транзистор увімкнений, то на його емітерний перехід подається пряме зміщення, а колекторний перехід знаходиться або під невеликим додатнім зміщенням, або під нульовим сміщенням, тобто в режимі насичення.

Рис.67,а. Робочі точки на характеристиці навантаження (активне навантаження) при роботі транзистора в режимі перемикання.
До переваг режиму перемикання відноситься те, що в увімкненому та вимкненому стані потужніть, яка розсіюється на транзисторі, може бути суттєво меншою, аніж потужність, що розсіюється на навантаженні, і, таким чином, він може комутувати потужність, яка перевищує гранично допустиму потужність розсіювання самого транзистора (див. рис.67,а). Пряд зі статичною в транзисторі може розсіюватись і значна динамічна потужність під час увімкнення та вимкнення транзистора, причому при високій частоті комутацій ця потужність може перевищувати потужність, що розсіюється в статичному режимі. Тому бажано, щоб час увімкнення та вимкнення (на протязі якого розсіюється динамічна потужність) був як можна меншим. На рис.67,б показані відповідні експериментальним результатам діаграми струмів транзистора при різних значеннях амплітуди вхідних імпульсів.

Рис.67,б. Форма імпульсів струмів транзистора при його роботі в імпульсному режимі.
У поданих на рис.67,б діаграмах криві 1 відповідають підсилювальному режимові, для якого виконується умова Iк = вIб, криві 2, 3, 4 відповідають випадкам, коли в увімкненому стані транзистор знаходиться в режимі насчення, коли для струму колектора є справедливим Iк ? вIб. Для характеристики глибини насичення вводять коефіцієнт насичення S = Iк/Iкн, де Iкн = вIбн відповідає межі насичення. Як видно з графіків, чим глибше заходить транзистор в область насичення (чим більшим є S), тим менший час увімкнення та більший час розсмоктування заряду (поличка, яка передує спадові струму) та, відповідно, час вимкнення.
Розрахунок часу увімкнення.
Для аналізу перехідних процесів при роботі транзистора в ключовому режимі можна скористатись законом збереженняя заряду:
(4_115)
Помножимо ліву та праву частини цього рівняння на q та проінтегруємо його за об'ємом бази. отримаємо, що зміна сумарного заряду, що накопичений в результаті інжекції в базу, змінюється за рахунок рекомбінації цього заряду та струму, який протікає через базу:
(4_116)
Розв'язком цього неоднорідного рівняння першого порядку буде сума загального розв'язку однорідного рівняння (Qp = Ae-t/фp) та часткового розв'язку неоднорідного:
(4_117)
Те, що Q = Jpфp є частковим розв'язком, можна переконатись, підставивши цю величину в (4_116). Для знаходження А скористаємось тим, що до подачі вхідного імпульсу заряд в базі був відсутній: Q(0) = 0. Тоді отримаємо, що A = Jpфp і, відповідно:
(4_118)
Щоб записати вираз для струму врахуємо, що Q(t) = Jкфбв = фp/ фб, тоді використовуючи ці співвідношення з (4_118), отримаємо:
(4_119)
Використовуючи (4_119), можемо визначити час tф, на протязі якого досягається заданий
струм Jкн ~ Eк/Rк (в режимі насичення S > 1):
(4_120)
Як видно з цього виразу, при зростанні струму бази (при збільшенні S) для насиченого в увімкненому стані транзистора час увімкнення зменшується.
4.7.3. Розрахунок часу розсмоктування заряду.
Припустимо, що транзистор працює в ключовому режимі при струмові управління, що показаний на рис.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 



Реферат на тему: Робота транзистора в імпульсному режимі.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок