Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Класифікація напівпровідникових приладів

Класифікація напівпровідникових приладів

Назва:
Класифікація напівпровідникових приладів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
3,44 KB
Завантажень:
415
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 
Реферат на тему:
Класифікація напівпровідникових приладів


Усі напівпровідникові прилади можна умовно розділити на дві великі групи: біполярні та уніполярні.
До біполярних приладів необхідно віднести усі ті прилади, для роботи яких принципово важливо наявність двох типів носіїв - електронів і дірок. До приладів цього типу, як правило, відносять усі пристрої, в яких управління електронним потоком проводиться за допомогою електронно-діркового переходу (pn - переходу). В приладах цього типу перенесення енергії сигналу проводиться почергово електронами, дірками або тими та іншими одночасно.
До уніполярних приладів відносяться прилади, в яких проводиться управління потоками, що переважно складаються з носіїв одного типу, або електронів, або дірок.
За реакцією на вхідний сигнал прилади можна розділити на підсилювальні (активні), перетворювальні та пасивні.
Підсилювальні або активні прилади збільшують потужність вхідного сигналу за рахунок енергії, що надходить з джерела живлення.
На рис. 16 наведені позначення приладів, що наведені в таблиці. Пасивні прилади не володіють підсилювальними властивостями. Перетворювальні прилади перетворюють форму сигналу, при цьому вони можуть бути як підсилювальними, так і пасивними.
Для класифікації напівпровідникових приладів, що відображено в їх маркуванні*, використовується цілий ряд ознак, що вміщують:
матеріал (Г або 1-германій, 2 або К - кремній, А або 3 - арсенід галію, 4 або И - з'єднання на основі індію і т.д);
тип (наприклад, підкласи: Д - діоди, Т - біполярні транзистори, П - польові транзистори);
експлуатаційні характеристики (потужність, частота, температурний діапазон та ін. знаходять відображення в цифровому елементі позначення);
конструктивні та технологічні особливості прибору (переважно, додаткові цифри, написані через дефіс).
Перерахуємо основні типи напівпровідникових приладів.
Біполярні прилади.
Діоди.
Структура активної області: "pn".
Можливі застосування: випрямлення змінного струму, перетворення та генерація сигналів. Основні різновиди діодів наведені в таблиці 3.
Таблиця 3 Основні різновиди діодів.
Тип приладу | Різновиди | Позначення
підкласу | Приклади
Діоди | випрямляючі | Д | ГД107, 2В201, АД110
випр. стовпи | Ц | КЦ410
НВЧ | А | 2A202
тунельні | И | 1И103, 3И201
стабілітрони | С | КС168
варикапи | В | КВ107
випромінюючі | Л | 3Л115
фотоприймачі | Ф
На рис. 16 наведені позначення приладів, перерахованих в таблиці 3.

Рис. 16. Позначення діодів : 1 - випрямляючий та детектуючий діод, 2 - тунельний діод, 3 - стабілітрон, 4 - варикап (напівпровідникова змінна ємність), 5 - випромінюючий діод (світлодіод).


Біполярні транзистори.
Структура активної області може бути як "pnp", так і "npn".
Можливе застосування: це універсальні підсилювальні прилади, що призначені для застосування в схемах підсилення, генерації та перетворення сигналів.
В позначенні марки транзистора третій елемент (цифра) характеризує підклас приладу за значенням розсіюваної ним потужності та максимальної робочої частоти. Основні різновиди біполярних транзисторів наведені в таблиці 4.
Таблиця 4 Основні різновиди біполярних транзисторів
Тип приладу | Різновиди | Позначення
підкласу | Приклади
Біполярний
транзистор | Малопотужні (P макс < 0,3Вт) | 1 | ГТ122, КТ127
Малопотужні, середньої частоти (f < 300МГц) | 2 | КТ215
Малопотужні, високої частоти та НВЧ (f < 300МГц) | 3 | КТ315, 1Т308
Cереднньої потужності (0,3Вт < P макс < 1,5Вт) | 4 | ГТ405
Cереднньої потужності, середнньої частоти (0,3Вт < P макс < 1,5Вт) | 5
Cереднньої потужності, високої частоти (0,3Вт < P макс < 1,5Вт) | 6 | ГТ712
Великої потужності, низької частоти (P макс > 1,5Вт) | 7 | КТ702
Великої потужності, середньої частоти | 8 | КТ809
Великої потужності, високої частоти та НВЧ | 9 | 2Т960

Рис. 16. Позначення біполярних транзисторів.
Тірістори.
Структура активної області: "pnpn".
Це - активний прилад, що призначений для роботи в якості швидкодіючого електронного ключа. У вимкненому стані (off) тірістор володіє великим опором і струм через нього надзвичайно малий, в увімкненому стані (on) опір тірістора малий і струм, який протікає через нього, може бути великим.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 



Реферат на тему: Класифікація напівпровідникових приладів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок