Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Особливості польових транзисторів

Особливості польових транзисторів

Назва:
Особливості польових транзисторів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
4,63 KB
Завантажень:
476
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 
Реферат на тему:
Особливості польових транзисторів


Серед чисельних різновидів польових транзисторів можна виділити два основні класи: польові транзистори із затвором у виді pn переходу та польові транзистори із затвором, який ізольований від робочого напівпровідникового об"єму діелектриком. Прилади цього класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал - діелектрик - напівпровідник) та МОН транзисторами (від словосполучення метал - окис - напівпровідник), оскільки в якості діелектрика найчастіше використовується оксид кремнію.
Основною особливістю польових транзисторів, у порівнянні з біполярними, є їх високий вхідний опір, який може досягати 109 - 1010Ом. Таким xbyом, ці прилади можна розглядати як керовані потенціалом, що дозволяє на їх основі створювати схеми з надзвичайно низьким споживанням енергії в статичному режимі. Сказане особливо суттєво для електронних статичних мікросхем пам'яті з великою кількістю запам'ятовуючих комірок.
Так само, як і біполярні, польові транзистори можуть працювати в ключовому режимі, однак падіння напруги на них в увімкненому стані досить значне, тому ефективність їх роботи в потужнх схемах є меншою, ніж у біполярних приладів.
Польові транзистори можуть мати як p, так і n канали, управління якими проводиться при різній полярності напруги на затворах. Ця властивість компліментарності розширяє можливості при конструюванні схем та широко застосовується при сстворенні запам'ятовуючих комірок і цифрових схем на основі МДП транзисторів (CMOS схеми).
Польові транзистори відносяться до приладів уніполярного типу, це означає, що принцип їх роботи базується на дрейфі основних носіїв заряду. Ця обставина значно спрощує їх аналіз у порівнянні з біполярними приладами, оскільки, в першому наближенні, можна знехтувати дифузийними струмами, неосновними носіями заряду та їх рекомбінацією.
6.2. Польові транзистори з управляючим pn переходом.
6.2.1. Принцип роботи. Вольтамперні характеристики.
В польових транзисторах с управляючим переходом (ПТУП) для зміни провідності каналу використовується ефект зміни ширини області просторового заряду (ОПЗ) зворотньо сміщеного переходу при зміні прикладеноі до нього напруги на затворі. На рис.76 показано конструкцію n - канального транзистора, в якому для управління використовується p+n перехід, що зміщений у зворотньому напрямку.

Рис. 76. Польовий транзистор з управляючим pn переходом. У верхньому правому куті наведено графічне позначення (в n - канальному транзисторі стрілка напрямлена в іншу сторону.)
Транзистор вмикається таким чином, щоб pn перехід затвора знаходився під зворотнім зміщеннням, а полярність напруги витік - стік вибирається такою, щоб основні носії заряду під дією електричного поля в каналі сміщувались до стоку. Для n - канального транзистора, який показаний на рис.76, на стік відносно витоку повинен подаватись додатній потенціал, до якого під дією поля будуть дрейфувати електрони. На затвор відносно стоку необхідно подавати від'ємний потенціал, щоб затворний перехід знаходився під зворотнім зміщенням.
Оскільки ОПЗ володіє високим опором, то при збільшенні ширини ОПЗ переріз каналу зменшується і його опір зростає. Самий низький опір каналу і, відповідно, самий великий струм через нього буде при нульовій напрузі на затворі (Uз = 0), потім по мірі збілшення ширини ОПЗ при зростанні Uз і, відповідно, зменшенні перерізу канала, струм буде падати та при деякій напрузі відсічки Uзо канал повністю перекриється і струм через нього перестане протікати. Відповідні вольтамперні характеристики ПТУП наведені на рис.77.

Рис.77. Вольтамперні характеристики польового транзистора з управляючим pn переходом.
Виведемо рівняння, що описує ВАХ ПТУП, при цьому зробимо ряд припущнь, які дозволять значно спростити розрахунок. Перш за все будемо використовувати усі припущення, які раніше були зроблені при виведенні ВАХ. Крім того, будемо вважати, що струм в каналі визначається тільки основними носіями заряду, і будемо вважати, що при нульовому зміщенні ширина ОПЗ є близькою до нуля.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 



Реферат на тему: Особливості польових транзисторів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок