Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.

Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.

Назва:
Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
3,24 KB
Завантажень:
42
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 
Реферат на тему:
Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.


На рис. 54 показана схема заміщення біполярного транзистора. На цій схемі функції I1=f1(Uеб), I2=f2(Uкб) описують нелінійні характеристики емітерного та колекторного переходів. Генератор струму бNI1 характеризує зібраний колектором, при нормальному увімкненні транзистора (Uеб > 0, Uкб < 0), інжекційний струм емітера, при нормальному увімкненні транзистора (Uеб > 0, Uкб < 0). Генератор бII2 характеризує зібраний емітером, при інверсному увімкненні транзистора (Uеб < 0, Uкб > 0), інжекційний струм колектора.
Для поданої на рис. 54 схеми можна записати:
(4_7)
де (4_8)
Підставивши (4.8) в (4.7), отримаємо вирз для вхідної JЕ(UЕБ,UКБ) та вихідної JК(UЕБ,UКБ) вольтамперних характеристик транзистора в схемі з СБ:
(4_9)
Рис. 54. Схема заміщення біполярного транзистора pnp типу.
Графіки вольтамперных характеристик біполярного транзистора для схеми зі спільною базою наведені на рис. 55. Можна виділити три основні області, які відповідають різним режимам роботи транзистора. Побудуємо розподіл неосновних носіїв для характерних точок, що розміщені в кожній з цих областей (рис. 55). При побудові розподілу врахуємо, що ширина бази є малою (W<<Lp), і експоненційний розподіл інжектованих носіїв можна замінити лінійним. Таким чином, для побудови розподілу носіїв заряду необхідно визначити відповідні до зміщень на переходах граничні значення концентрацій носіїв а потім з'єднати їх прямою лінією. Граничні значення концентрацій будуть рівними:
(4_10)
Для струмів через емітерний та колекторний переходи і напруг на них будуть справедливими наступні співвідношення:
(4_11)
Рис. 55. Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора в схемі зі спільною базою.
Активна область (активний режим) (т. А на рис. 55), відповідає підсилювальному режимові. Для неї викнуються умови Uеб > 0, Uкб < 0, отже, у ввідповідності до (4_10), pn(0) > pn0, pn(W)<pn0. Оскільки, як правило, |UКБ| >> |UT|, то pn(W) ? 0. Відповідний розподіл носіїв заряду для т. A показаний на рис. 56. Збільшення струму емітера викличе зростання UЕБ і, у відповідності до (4_10) зростанням pn(0) та, у відповідності до (4_11) зростанням градієнта концентрації. Зменшення струму емітера (напруги на емітерному переході) буде супроводжуватись зменшенням pn(0) та зменшенням зростання градієнту.
Режим насичення (т. B та т. C на рис. 55), відповідає режимові при якому струм колектора обмежений і не забезпечує відведення усіх інжектованих носіїв заряду, які підходять до колектора, границі режиму насичення визначаються умовами UЕБ > 0 та UКБ ? 0, отже, у відповідності до (4_10), pn(0) > pn0, pn(W) ? pn0. В т. B UЕБ > 0 та UКБ = 0, відповідно pn(0) > pn0 та pn(W) = 0. В т. C при збільшення емітерного струму зростання UЕБ не супроводжується збільшенням колекторного струму, однак викликає збільшення концентрації носіїв заряду біля колектора, тобто, згідно з (4_11) напруга на колекторному переході стає більшою 0. Таким чином в т. C UЕБ > 0 та UКБ > 0, відповідно, pn(0) > pn0 та pn(W) > pn0. Оскільки в т. С струм такий самий, як і в т. B, градієнт концентрації залишився попереднім.

Рис. 56. Розподіл носіїв у базі транзистора в різних режимах (положення робочих точок див. рис. 55)
Режим відсічки (т.D на рис. 55) відповідає режимові, при якому інжекційний струм емітера, що відповідає сигналові, відсутній, отже, на колектор не поступають інжектовні носії і транзистор знаходиться в закритому стані. Межі режиму відсічки визначаються умовами UЕБ ? 0 та UКБ < 0, отже, у відповідності до (4_10) pn(0) ? pn0, pn(W) ? 0. В т. D UЕБ < 0 та U КБ < 0 (|UКБ| >> |UT|), відповідно, pn(0) < pn0 та pn(W) = 0. Як видно з рис. 55, що відповідає т.D , поблизу емітера градієнт концентрації змінив свій напрям, тобто через емітерний перехід почав протікати зворотній струм. Якщо струм через емітерний перехід буде равний нулю, то, відповідно буде равним нулю і емітерний струм.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2 



Реферат на тему: Статичні вольтамперні характеристики біполярного транзистора.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок