Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Перехід діода у вимкнений стан

Перехід діода у вимкнений стан

Назва:
Перехід діода у вимкнений стан
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
4,48 KB
Завантажень:
68
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 
Реферат на тему:
Перехід діода у вимкнений стан


Момент завершеняя імпульсу струму не означає вимкнення діода. Навіть після завершення протікання струму (наприклад, при разриві кола) діод на протязі неякого часу залишається в увімкненому стані: його опір буде низьким і на ньому буде зберігатись додатня напруга (моменти 5, 6 на рис. 32). Пояснюється це тим, що після припинення протікання струму інжектовані носії на протязі деякого часу будуть знаходитись поблизу pn переходу і до тих пір, поки вони не зникнуть за рахунок рекомбінації, висота бар'єру буде пониженою і pn перехід буде зміщений в додатньому напрямку див. формулу (76). Зміщення буде зменшуватись по мірі зниження граничної концентрації носіїв заряду (рис 34). Крива 4 на рис. 34 відповідає струмові, що протікає через діод в прямому напрямку, криві 3, 4 відповідають моментам переходу із увімкненого у вимкнений стан, причому, оскільки струм через бар'єр відсутній, градієнт на межі рівний нулю. Тільки після того, як гранична концентрація досягне рівноважного значення pn0, напруга на переході стане рівна нулю. Можна вважати, що діод повністю перейшов у вимкнений стан тільки після того, як в p та n областях зникнуть інжектовані носії та встановляться рівноважні концентрації np0 і pno відповідно.

Рис. 34. Розподіл інжектованих носіїв заряду в різні моменти часу (див. рис. 32) при вимкненні діода.
Перемикання з прямого напрмку в зворотній.
Розглянемо випадок, коли відбувається перемикання діода з прямого напрямку в зворотній (рис. 35), при цьому зворотня напруга може перевищувати пряму в сотні разів. На рис. 36 показаний розподіл носіїв у n базі діода в різні моменти часу. Крива 0 відповідає початковому стаціонарному розподілу носіїв заряду, коли діод знаходиться в стаціонарному стані, який відповідає прямому увімкненню. Крива 6 відповідає кінцевому стаціонарному розподілові носіїв заряду, коли діод увімкнений у зворотньому напрямку. Перехідні процеси повинні забезпечити зміну розподілу носіїв від початкового (0) до кінцевого (6).

Рис. 35. Форма сигналів, які характеризють перехідні процеси в діоді при його перемиканні з прямого напрямку у зворотній: а) напруга від імпульсного генератора, б) напруга на pn переході, в) струм через діод
Після миттєвої зміни полярності напруги на діоді, надходження дірок з p області припиняється і на межі з областтю просторового заряду виникає ступінчатий розподіл інжектованих дірок з градієнтом, що спрямований в протилежну сторону - пунктирна лінія на рис. 36. Такому ступінчатому градієнту повинен відповідати незкінчений розрядний струм, спрямований у зворотньому напрямку. Оскільки будь-яке реальне електричне коло володіє кінцевим опором R, то максимально можливий струм в колі буде Im = U/R, де U - напруга, прикладена у зворотньому напрямку. Струмові Im відповідає деякий градієнт концентрації на межі бар'єру (на рис. 36 він позначений тонкою линією), цей градієнт буде зберігатись в процесі розряду до тих пір, поки концентрація інжектованих при прямому увімкненні носіїв буде достатньою для його підтримування (криві 1, 2, 3 на рис. 36 і відповідні їм моменти часу на рис. 35). Так виникає "поличка" на кривій розрядного струму, який характеризує розсмоктування інжектованих носіїв заряду. З часом градієнт концентрації на межі зменшується, що викликає завершення полички в розрядному струмі та початкові його спаду. По мірі розсмоктування та рекомбінації носіїв заряду їх концентрація на межі зменшується і, відповідно, зменшується пряме зміщення переходу див. (76). В момент, коли концентрація неосновних носіїв заряду на межі досягне рівноважної, напруга на pn переході стає рівною нулю.

Рис. 36. Зміна концентрації інжектованих носіїв у різні моменти часу (див. рис. 35) при перемиканні діода з прямого напрямку у зворотній.
Після того як pn(0) стане меншим pn0,, напруга на переході змінює знак і розподіл носіїв заряду в приконтактній області швидко досягає відповідного зворотньо увімкненому переходу.
3.1.6. Вольтамперна характеристика pn переходу з рекомбінацією та генерацією
носіїв заряду в області просторового заряду.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3 



Реферат на тему: Перехід діода у вимкнений стан

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок