Загрузка...
Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> реферат: Біполярні транзистори

Загрузка...

Біполярні транзистори / сторінка 2

Назва:
Біполярні транзистори
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
7,45 KB
Завантажень:
338
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0
Загрузка...
Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 
У позначенні БТ транзисторів це відображають класифікаційним номером (одна цифра), який розташовують безпосередньо після літери Т (біполярний транзистор) або П (польовий транзистор). Класифікаційний номер розподіляє транзистори за потужністю і граничною частотою та-ким чином:
малої потужності (потужність розсіювання до 0,3 Вт): 1 - низької частоти (до 3 МГц), 2 - середньої частоти (3...30 МГц), 3 - високої частоти (понад 30 МГц);
середньої потужності (потужність розсіювання 0,3... 1,5 Вт): 4 -низької частоти, 5 - середньої частоти, 6 - високої частоти;
великої потужності (потужність розсіювання понад 1,5 Вт): 7 - низької частоти, 8 - середньої частоти, 9 - високої частоти.
Ці цифри несуть значну інформацію, їх необхідно запам'ятати, щоб, не звертаючись до довідників, оперативно аналізувати електронні схеми, оцінювати можливість використання того чи іншого типу транзисторів. Наприклад, КТ201В є кремнієвим БТ широкого вжитку малої потужності середньої частоти; номер розробки - 01, різновид - В.
Інколи транзистори з потужністю розсіювання 1...10Вт називають транзисторами великої потужності. Відповідно до іншої діючої класифі-кації потужні транзистори зі струмом 10 А і більше називають силовими.
За призначенням транзистори поділяють на такі групи: універсальні, підсилювальні, генераторні, перемикальні, імпульсні та ін.
За особливостями руху носіїв, інжектованих з емітера в базу БТ, такі транзистори поділяють на два види: бездрейфові, в яких неосновні носії заряду переміщуються через базу головним чином внаслідок дифузії, і дрейфові, в яких таке переміщення здійснюється завдяки дрейфу, тобто під дією прискорювального електричного поля.
Бездрейфові транзистори мають в усій базовій ділянці одну і ту ж кон-центрацію домішок, а тому в базі електричне поле не виникає. Носії здій-снюють дифузійний рух від емітера до колектора. Швидкість такого руху менша від швидкості дрейфу носіїв у прискорювальному полі. А відтак бездрейфові транзистори використовують у радіоелектронних пристроях в обмеженішому частотному діапазоні, ніж дрейфові (у приладах з мен-шою швидкодією).
У дрейфових БТ електричне поле в базі створюється внаслідок неод-накової концентрації домішок у базовій ділянці. У рівноважному стані дія різниці концентрації врівноважується різницею потенціалів. У базі фор-мується електричне поле, яке прискорює рух неосновних носіїв, інжекто-ваних з емітера.
Для виготовлення дрейфових БТ використовують дифузійні методи фор-мування р-п-переходів. Такі транзистори називають дифузійними. Слід звернути увагу, що у цьому випадку термін «дифузійний» показує не на особливість руху носіїв, а на технологію виготовлення транзисторів.
За технологією виготовлення БТ поділяють на сплавні, дифузійні, ди-фузійно-сплавні (сплавно-дифузійні), планарні, мезапланарні, епітаксійно-мезапланарні (мезаепітаксійно-планарні), іонно-імплантаційні. Така кла-сифікація ґрунтується переважно на структурних особливостях БТ та осо-бливостях технологічних процесів створення р-п-переходів .
Транзистори старих розробок (50-х років) виготовлялися за сплавною технологією (див. рис. 2.10, б та 4.36, а). Такі транзистори є бездрейфо-вими. Ч транзистор великої площі (понад 0,1 см2) та з товщиною бази, меншою за 20...30мкм. Це обмежує допустимі струми колектора на рівні декількох десятків амперів. Граничні частоти таких транзисторів через велику тов-щину бази та в основному бездрейфовий характер руху носіїв не переви-щують Ю...20МГц. Недоліком сплавних транзисторів є також значний розкид параметрів та характеристик.
Сучасні БТ виготовляють на основі кремнію за дифузійною технологі-єю з використанням планарного процесу. Це дозволяє створювати дрей-фові транзистори з граничними частотами, що в десятки разів перевищу-ють ці параметри сплавних транзисторів. За методом дифузії базу можна сформувати дуже тонкою, в результаті чого коефіцієнти підсилення струму будуть значно вищими, ніж коефіцієнт сплавних пере-ходів. Важливим є і те, що за цим методом БТ виготовляють більш точно з меншим розкидом параметрів і характеристик.
Загрузка...

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 
Реферат на тему: Біполярні транзистори

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок