Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> реферат на тему: Біполярні транзистори

Загрузка...

Біполярні транзистори / сторінка 3

Назва:
Біполярні транзистори
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
7,45 KB
Завантажень:
338
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Загрузка...
Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 

Серед великої кількості різних видів транзисторних структур можна виділити такі, які одержують за допомогою двобічної та однобічної ди-фузії.
У структурах, які одержують двобічною дифузією, у пластину напів-провідника за допомогою дифузії вводять з обох боків легувальну доміш-ку, яка створює ділянки з електропровідністю, протилежною електропро-відності матеріалу пластини. У таких структурах важко сформувати малу товщину бази, через що одержують малі коефіцієнти підсилення за стру-мом та невисокі граничні частоти.
Найпоширенішим є використання структур, створених за допомогою однобічної дифузії.
Сплавно-дифузійні транзистори (або дифузійно-сплавні) вирізняються тим, що в них базова ділянка та колекторний перехід виготовлені за ме-тодом дифузії, а емітерний перехід - за методом вплавлення. Вони мають робочі частоти до сотень мегагерців, але розраховані на не-великі потужності (100... 150 мВт). Емітерний перехід має малу товщину, а тому витримує тільки малі зворотні напруги.
У мезатранзисторах використовують мезаструктуру. Ці транзистори виготовляють за груповим методом зразу у великій кількості з однієї пластини напівпровідника. На поверхні цієї пласти-ни, яка в подальшому служить колектором, за методом дифузії формують шар бази товщиною декілька мікрометрів. Для кожного транзистора в цей шар вплавляють малі краплі сплавів для утворення емітерного переходу та відведення від бази. Мезатранзистори мають малі ємності переходів (Сс менша ніж 2 пФ), малий опір бази гв і можуть працювати на частотах до сотень мегагерців. Важливо і те, що від колектора здійснюється більш інтенсивне тепловідведення, оскільки він має вивідний контакт порівняно великої площі.
Найдосконалішими з дифузійних БТ є так звані планарні транзистори. У них p-n-переходи створюються дифузією домішок через отвори в захисному шарі, нанесеному на поверхню напівпровідника. При цьому виводи від усіх ділянок знаходяться в одній площині. Тому такі транзистори називають «планарними» (плоскими). Ці транзистори зручні у виробництві, їх можна виготовляти на різні потужності з високими гра-ничними частотами. Планарну технологію широко використоиують для виготовлення ІМС.
Планарно-епітаксійні транзистори є подальшим розвитком планарних транзисторів. Звичайні планарні транзистори мають великий опір колек-торної ділянки. Якщо зменшити питомий опір матеріалу колектора, то збільшиться ємність Сс і знизиться пробивна напруга колекторного пере-ходу. Ці недоліки усувають в епітаксійних транзисторах, в яких між ба-зою та низькоомним шаром колекторного переходу формується шар з більшим опором.
Планарно-епітаксійна технологія є найдосконалішою і широко вико-ристовуваною для виготовлення сучасних БТ. Розглянемо основні проце-си виготовлення транзисторів за такою технологією.
На відшліфовану пластинку монокристалічного легованого фосфором кремнію з концентрацією домішок п+ (на низькоомну підкладку) спосо-бом епітаксії наносять тонку плівку n-типу, що має точно таку ж моно-кристалічну структуру, як і підкладка, і є ніби її природним продовжен-ням. Створений таким чином шар називають епітаксійним. Сформовану пластину зі структурою п+-п помішують в атмосферу воло-гого кисню, де вона при високій температурі покривається тонкою і щільною плівкою двооксиду кремнію Si02, яка ефективно захищає пове-рхню кремнію від впливу зовнішнього середовища та проникнення домі-шок. Потім у плівці оксиду методом фотолітографії витрав-люють вікна.
ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ
Струм напівпровідникового бруска n-типу лінійно залежить від напру-ги. Коефіцієнтом пропорційності є його провідність, яка дорівнює
G =уnA/L=nqмnA/L , (7.1)
де уn=qnмn - питома електрична провідність; А - поперечний переріз бруска; L - довжина бруска.
Для створення активних приладів необхідно забезпечити майже без-інерційне керування провідністю.
Із рівняння (5.1) видно, що є два способи, за допомогою яких можна здійснювати модуляцію провідності бруска: зробити залежними від керу-вальної напруги концентрацію носіїв п або геометрію зразка AIL.
Загрузка...

Завантажити цю роботу безкоштовно

Загрузка...
Пролистати роботу: 1  2  3  4 
Реферат на тему: Біполярні транзистори

BR.com.ua © 1999-2018 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок