Головна Головна -> Реферати українською -> Технічні науки -> Біполярні транзистори

Біполярні транзистори

Назва:
Біполярні транзистори
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
7,45 KB
Завантажень:
330
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 
Біполярні транзистори
Структури, режими та схеми вмикання біполярних транзисторів
Подальше дослідження р-n-переходів, удосконалення технології фор-мування їхніх структур привели до створення принципово нових напів-провідникових приладів, електрична провідність яких може змінюватися майже без інерційно від одиниць омів до мегаомів. Такі прилади є актив-ними компонентами радіоелектроніки. Вони спроможні керувати пото-ком електричної енергії, яка надходить від зовнішнього джерела живлен-ня в навантаження.
Провідність p-n-переходу у разі зворотного вмикання можна змінюва-ти в широких межах підвищенням температури опроміненням, а також за допомогою додаткового джерела неосновних носіїв, що інжектують у базу. Останній спосіб використовують для створення біполярних транзи-сторів. Такі транзистори посідають значне місце серед електроперетворювальних напівпровідникових приладів, тобто приладів, які використо-вуються для перетворення електричних величин. Вони являють собою активні напівпровідникові прилади (спроможні підсилювати потужність) і мають три або чотири виводи.
Найпоширенішими транзисторами з двома p-n-переходами є БТ. Біпо-лярний транзистор - це напівпровідниковий прилад з двома взаємодію-чими переходами та трьома або більше виводами, підсилювальні власти-вості якого обумовлені явищами інжекції та екстракції неосновних носіїв заряду. Робота БТ визначається рухом носіїв обох полярностей. Звідси і назва «біполярний» (двополярний).
У таких транзисторах інжекцією, що забезпечується вхідним колом, змінюється опір вихідного кола. Це дозволяє регулювати потужність, яка поступає від зовнішнього джерела живлення в навантаження, тобто під-силювати потужність, реалізувати принцип реле. Біполярний транзистор є активним приладом і використовується для підсилення, генерування та інших перетворень електричних сигналів.
Структури БТ являють собою пластину германію чи кремнію, або іншого напівпровідника, в якому створено три ділянки з різною електропровідністю. Залежно від чергування ділянок різних типів розрізняють транзистори типів п-р-п і р-п-р.
Одну з крайніх ділянок транзисторної структури легують сильніше. Це - емітер транзистора. Емітерна ділянка БТ як і в діодах має високу питому електричну провідність. її призначенням є інжекція носіїв заряду в базову ділянку. Другу крайню ділянку називають колектором. Ця ділян-ка вирізняється низькою питомою електропровідністю. її призначенням є екстрагування носіїв заряду з базової області. Спільну для емітерного та колекторного переходів ділянку напівпровідникового приладу Називають базою. У цю ділянку БТ інжектуються неосновні для неї носії заряду. Концентрація домішок у базі завжди набагато менша, ніж у колекторі та емітері. Найважливішою умовою роботи БТ є дуже мала ширина базової ділянки (не більше одиниць мікрометрів). У транзисторах вона значно менша від дифузійної довжини носіїв, завдяки чому основна частина не-основних носіїв, інжектованих емітером, не рекомбінує в базі і досягає колектора.
Основні типи біполярних транзисторів
Біполярні транзистори класифікують за використаним матеріалом, технологією виготовлення, особливостями роботи, призначенням, потуж-ністю, діапазоном робочих частот та іншими показниками.
Для виготовлення БТ використовують кремній, германій та сполуки галію. У позначенні транзисторів це фіксується літерами К, Г, А або від-повідно цифрами 1, 2, 3. Більшість транзисторів виготовляють із крем-нію. Широковикористовувані раніше германієві транзистори витісняють-ся кремнієвими, які мають кращі параметри: більші максимально допус-тиму робочу температуру, потужність, коефіцієнт передачі струму і гра-ничну частоту.
Для виготовлення БТ все більше використовують нові матеріали. Із фосфіду індію створено БТ, що забезпечує підсилення електричних сиг-налів до частоти 70 ГГц. Фосфід індію дорогий і важко обробляється, але він дозволяє створювати надшвидкодіючі транзистори.
Найчастіше в технічній літературі та довідниках транзистори класи-фікують за допустимою потужністю розсіювання та граничною часто-тою.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 



Реферат на тему: Біполярні транзистори

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок